Qual é o princípio de deposição no processo CVD em baixa pressão?

Resposta

Deposição por reações químicas de precursores gasosos que se adsorvem e se transformam em filme sólido na superfície do substrato.

Explicação:
Gases precursores são introduzidos na câmara e, por aquecimento térmico ou ativação por plasma, se decompõem ou reagem na superfície do substrato formando o filme desejado.
A baixa pressão aumenta o caminho livre médio das moléculas, reduz reações homogêneas na fase gasosa (menos partículas) e melhora a uniformidade, conformalidade, estequiometria e pureza do filme.

Exemplo prático:
Deposição de TiN por CVD em baixa pressão para revestir ferramentas de corte: precursores gasosos (ex.: TiCl4 + NH3) reagem na superfície formando uma camada dura e uniforme de TiN, com menos partículas em suspensão e melhor controle da composição do revestimento.