Questão FC287936
Na microscopia eletrônica de varredura, um feixe de elétrons incide sobre a amostra provocando emissão de vários tipos de radiação, que incluem os elétrons secundários, elétrons re
Química
IDECAN · 2012
Na microscopia eletrônica de varredura, um feixe de elétrons incide sobre a amostra provocando emissão de vários tipos de radiação, que incluem os elétrons secundários, elétrons retroespalhados e raios-x característicos. Esses sinais podem ser utilizados para fornecer diferentes informações sobre a amostra. Sobre microscopia eletrônica de varredura, assinale a afirmativa INCORRETA.
- Os elétrons secundários fornecem imagem de topografia da superfície da amostra e são os responsáveis pela obtenção das imagens de alta resolução.
- Os elétrons retroespalhados são elétrons de alta energia (acima de 50 eV) resultantes de uma sequência de colisões elásticas e inelásticas do feixe primário com a amostra.
- O coeficiente de emissão dos elétrons secundários aumenta à medida que a amostra é inclinada, aumentando o contraste.
- O coeficiente de emissão dos elétrons secundários aumenta com o aumento do número atômico dos elementos constituintes da amostra.
- Através da análise dos raios-x característicos emitidos pela amostra é possível obter informações qualitativas e quantitativas da composição da amostra na região de incidência do feixe de elétrons.
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Gabarito
D
Comentário do professor
A afirmativa é incorreta. O rendimento de elétrons secundários (δ) não aumenta de forma direta com o número atômico do elemento.
Elétrons secundários são de baixa energia (tipicamente <50 eV) e originam‑se numa camada muito superficial da amostra, com profundidade de escape da ordem de \( \sim\) poucos nm. Assim, δ é fortemente determinado por propriedades de superfície—topografia, composição superficial, estado de oxidação e função trabalho—mais do que pelo Z do volume.
O número atômico influencia de modo claro o coeficiente de elétrons retroespalhados (BSE), que aumenta com Z e fornece contraste composicional; já o comportamento de elétrons secundários é relativamente independente de Z e pode até diminuir em materiais de alto Z devido à maior perda de energia e menor probabilidade de escape.
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