Um transistor NMOS tipo enriquecimento com Vt = 0,7 V, conduz uma corrente iD igual a 100 \(μ\)A, quando VGS = VDS = 1,2 V. A corrente iD quando VGS = 1,5 V e VDS = 3 V será de

Gabarito

B

Comentário do professor

Identifique primeiro a região de operação. O sobretensão é \(V_{GS}-V_t=1{,}2-0{,}7=0{,}5\) V e como \(V_{DS}=1{,}2\) V \(\ge\) 0{,}5 V o transistor está em saturação.

Na saturação vale \(I_D=\tfrac{1}{2}k(V_{GS}-V_t)^2\). Com \(I_D=100\mu\)A para \(V_{GS}-V_t=0{,}5\) V obtemos a constante \(k\): \(100\mu\text{A}=\tfrac{1}{2}k(0{,}5)^2\Rightarrow k=800\mu\text{A/V}^2\).

Para a segunda condição \(V_{GS}=1{,}5\) V temos \(V_{GS}-V_t=0{,}8\) V e \(V_{DS}=3\) V \(\ge\) 0{,}8 V, logo ainda em saturação. Assim

\(I_D=\tfrac{1}{2}\cdot 800\mu\text{A/V}^2\cdot(0{,}8\text{ V})^2=256\mu\text{A}\).