Questão FC868838
Os dispositivos semicondutores: diodos, transistores bipolares (BJT) e transistores de efeito de campo (FET); são fundamentais em circuitos eletrônicos de retificação, amplificação
Eletrônica
FGV · 2026
Os dispositivos semicondutores: diodos, transistores bipolares (BJT) e transistores de efeito de campo (FET); são fundamentais em circuitos eletrônicos de retificação, amplificação e comutação. A estabilidade do ponto de operação e o tipo de polarização aplicada influenciam diretamente o desempenho desses dispositivos. Com base nessas considerações, analise as afirmativas a seguir.
I. Em um FET, a polarização por resistor de fonte atua de forma semelhante ao resistor de emissor em um BJT, estabilizando a corrente de dreno.
II. O diodo semicondutor, quando polarizado reversamente, permite o fluxo de corrente elevado e constante, sendo ideal para aplicações de retificação de potência.
III. O MOSFET do tipo canal N opera com condução quando a tensão porta-fonte é superior à tensão limiar, estabelecendo uma região de saturação adequada para amplificação.
Está correto o que se afirma em
- II, apenas.
- I e II, apenas.
- I e III, apenas.
- II e III, apenas.
- I, II e III.
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Gabarito
Certo
Comentário do professor
A assertiva I está correta. Em um FET o resistor de fonte introduz realimentação negativa: se a corrente de dreno \(I_D\) aumenta, a queda de tensão em \(R_S\) cresce, elevando \(V_S\) e reduzindo \(V_{GS}=V_G-V_S\), o que tende a conter o aumento de \(I_D\). Esse mecanismo estabiliza o ponto de operação e melhora a estabilidade térmica, função análoga ao resistor de emissor em BJT.
A assertiva III também está correta. Um MOSFET de canal N conduz quando \(V_{GS}>V_{TH}\), formando o canal. Para amplificação utiliza-se a região de saturação, definida por \(V_{DS}>V_{GS}-V_{TH}\), onde a corrente segue aproximadamente \(I_D \propto (V_{GS}-V_{TH})^2\) no modelo ideal. Nessa região \(I_D\) depende fortemente de \(V_{GS}\) e pouco de \(V_{DS}\), possibilitando ganho.
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